DISCO SSD M.2 500GB GIGABYTE GEN3 2500E
El SSD Gen3 2500E de GIGABYTE adopta el controlador de Phison y la tecnología 3D NAND de alta calidad, y ofrece un rendimiento de lectura secuencial de hasta 2300 MB/s y escritura secuencial de 1500 MB/s. Al utilizar la tecnología Host Memory Buffer, el controlador SSD puede acceder a la DRAM del host sin pérdida de rendimiento. Además, el SSD Gen3 2500E de GIGABYTE cuenta con compatibilidad con TRIM, SMART y Over-Provision para proteger sus datos y funcionar de manera estable.
Rendimiento excepcional
El SSD GIGABYTE Gen3 2500E brinda rendimiento para sus tareas informáticas diarias, cuenta con el mejor controlador y flash NAND 3D.
Velocidades de lectura secuencial de hasta 2300 MB/s
Velocidades de escritura secuencial de hasta 1500 MB/s
El SSD GIGABYTE Gen3 2500E le brinda una experiencia de transferencia de datos más rápida en comparación con la unidad de estado sólido SATA de 2,5".
La función Host Memory Buffer (HMB) utiliza el DMA (acceso directo a memoria) de PCI Express para permitir que los SSD utilicen parte de la DRAM del sistema de PC, en lugar de requerir que el SSD traiga su propia DRAM.
En comparación con los SSD PCIe 3.0 x4 habituales, el SSD Gen3 2500E de GIGABYTE reduce aproximadamente un 40 % el consumo de energía durante su funcionamiento. El consumo de energía del SSD Gen3 2500E de GIGABYTE ha mejorado notablemente.
La nueva versión actualizada de SSD Tool Box es un software que ofrece a los usuarios una descripción general del estado de la unidad SSD y de varios aspectos, como el nombre del modelo, la versión de firmware, el estado de salud y la temperatura del sensor. Además, los usuarios pueden borrar todos los datos con la función de borrado seguro. Puede descargar la SSD Tool Box desde el enlace.
Los SSD Gen3 2500E de GIGABYTE poseen una alta velocidad de transferencia de datos y una resistencia mejorada, brindando un MTBF* duradero de 1,5 millones de horas.
ESPECIFICACIONES
Interfaz
Interfaz PCIe 3.0x4, NVMe1.3
Factor de forma
M.2 2280
Capacidad total
500 GB
Caché DDR externa
N / A
Velocidad de lectura secuencial
Hasta 2300 MB/s
Velocidad de escritura secuencial
Hasta 1500 MB/s
IOPS de lectura aleatoria
Hasta 60K
IOPS de escritura aleatoria
Hasta 240K
Dimensión
22 x 2,3 x 80 mm
Tiempo medio entre fallos (MTBF)
1,5 millones de horas
Potencia máxima de funcionamiento
Lectura: 2300mW
Escritura: 2250mW
Consumo de energía (inactivo, PS3)
30 mW
Consumo de energía (PS4, L1.2)
5 mW
Temperatura (de funcionamiento)
De 0 °C a 70 °C
Temperatura (Almacenamiento)
-40°C a 85°C
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